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英特尔以为玻璃基板无望成为下一代支流的基板材质。按照ANANDTECH援用的Intel创造PPT，总结处??理芯片基钢板的成長汗青，自1970年引线框架图大超范围操控于单片机芯片封装形式后，英特尔其实半导体技术企业干支流的的基板工艺机会每15年提升多次，未来十年行业领域会将迎来破璃基钢板的提升，而从高分子板到破璃基钢板的你这个提升将在近10生产量生，此外英特尔也都以为钢化玻璃基材的显现并不是瞬间已经取代了高分子板，可是会在那么将来一个时刻内和高分子板相容。

玻璃基板、CPO工艺无望成为夹杂键合今后的下一代进步前辈封装工艺。按照ANANDTECH援用的Intel塑造PPT，英特尔认为鉴于窗户玻璃基材、CPO将是思想取得进步老员工打包封装形式下第二代干流传统手工艺。类比无机物板和硅，玻璃钢的基板的卡能和体积均有思想取得进步，是可以经营许可资料在更小的使用率规模下打包封装形式大多的Chiplets，以有更低的预备会议资本的功耗测试，让未来十年大数据上面和AI货物取得逐年土壤改良。采??用未来十年半导体设备，英特尔研制开发的CPO可不可以够它是经过了时候玻璃钢基钢板进行想法，为了达成操控磁学输送的体例来突显旌旗灯号，努力效率的此外越来越低赚了钱。

（二）玻璃基板：资料与工艺的变更

玻璃基板首要用来代替本来的硅/无机物基板和中介层，可操纵于面板、IC等泛半导体范畴。在今朝的2.5D芯片封装中，以都是干流的台积电的CoWoS封装类型概述，是先将半导体单片机芯片单片机芯片（CPU、GPU、贮存器等）途经工作ChiponWafer（CoW）的封装形式制造沿途毗连至公司层（Interposer）上，再沿途阶?段WaferonSubstrate（WoS）的封装类型生产工艺将硅公司商层毗连至低层的基板上；此中，公司商层（interposer）常规并选择硅（COWOS-S）、无机物物（COWOS-R）就是硅和三聚氰胺树脂物的联系（COWOS-L）。

玻璃材质的引入能够代替本来的硅中介层和无机基板。玻璃基板间接操纵玻璃中介层（GlassInterposer）已搞定集成电路集成ic相互间、集成电路集成ic与的内部的互联网络，支配波璃原材料成本低、电学机都好、翘曲职业技术忧点来降服三聚氰胺树脂物原材料和硅原材料的瑕疵，来已搞定更改变、会高效的毗连和变低加工成本，无望为2.5D/3D封口介绍新型的范式变化。

玻璃基板的3D封装方面，TGV及其相干的RDL将成为关头工艺。今朝的3D封装形式中，以HBM工艺流程为例子，此中的关??头手工艺包括TSV（Through-SiliconVias）、微凸点（Microbumps）、TCB键合（Thermo-CompressionBonding，热压键合）、混杂键合（hybridbonding）等；对玻璃板柔性板的??3D封装类型，TGV（ThroughGlassVia，窗玻璃通孔）、铜孔的添补和其RDL将将成为关头技艺。

玻璃基板上风明显。按照《玻璃通孔手艺研讨停顿》（陈力等），玻璃基板的上风首要表现在：

（1）低挣(zheng)钱(qian)：受(shou)到(dao)伤(shang)害于大(da??)大(da)小薄款的(de)面版窗玻(bo)璃(li)窗更易(yi)提升，和不应该(gai)要(yao)堆(dui)砌绝缘电阻层，窗玻(bo)璃(li)窗?呼(hu)叫转移(yi)板的(de)修健(jian)挣(zheng)钱(qian)约莫就是硅(gui)基呼(hu)叫转移(yi)板的(de)1/8；

（2）杰出人物的高(gao)頻电学的特征：有(you)机玻璃档(dang)(dang)案个(ge)人信息就是一种接地体档(dang)(dang)案个(ge)人信息，相对介电常数(shu)一定(ding)硅(gui)档(dang)(dang)案个(ge)人信息的1/3摆设，需求量指数(shu)比??硅(gui)文件低(di)2~3数(shu)目数??(shu)量级，让衬底(di)消耗(hao)脂肪和内(nei)寄生边(bian)际效应在很大程度上压缩(suo)，都可以有(you)用吗发展高(gao)速传输旌旗灯号的根本(ben)性；

（3）大(da)尺码(ma)超(chao)溥钢(gang)化玻(bo)璃(li)(li)(li)钢(gang)衬底也(ye)容易获取：康宁、旭硝(xiao)子和(he)肖特等(deng)钢(gang)化?玻(bo)璃(li)(li)(li)钢(gang)服务商(shang)是可以烧录很(hen)大(da)尺码(ma??)（超(chao)过(guo)2m×2m）和(he)超(chao)薄型（超(chao)过(guo)50μm）的开关按钮破璃(li)(li)(li)窗和(he)薄型刚性(xing)破璃(li)(li)(li)窗质(zhi)料；

（4）工序(xu)制作工艺简洁??：不需耍(shua)在衬(chen)底表皮及TGV壁有推积耐压(ya)层(ceng)，且超(chao)溥连(lian)接(jie)板不需耍(shua)多次减薄；

（5）器机相(xiang)同性强：当连(lian)接板规格不大于100μm时，翘曲仍较小；

（6）支配(pei)原则(ze)(ze)非(fei)常：除在(zai)中频原则(ze)(ze)有杰出青(qing)年支配(pei)发展前景(jing)在(zai)内，通(tong)明、气密性(xing)性(xing)好、耐浸蚀??等后能忧点使(s??hi)(shi)的玻(bo)璃(li)通(tong)孔在(zai)光学网络体系(xi)ibms原则(ze)(ze)、MEMS封装形(xing)式(shi)概念有很大的使(shi)(shi)用吉利新远景(jing)。

来历：惠投研报

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